Método para obtener los parámetros h de un transistor: (hie, hfe, hoe, hre), partiendo de las gráficas características de un BJT. Variación de parámetros {H} con la corriente y temperatura.

Explicación del modelo híbrido de un transistor bipolar o BJT. Se explica el modelo para un transistor NPN y PNP

Amplificador surtidor común con transistor efecto de campo (FET) – Autopolarización en el amplificador surtidor común.

Circuito amplificador seguidor de cátodo con FET. Fórmulas de ganancia de voltaje y de impedancia de salida

Amplificador FET surtidor común con realimentación negativa. Función del condensador de paso en un amplificador surtidor común

La principal diferencia entre transistores NPN y PNP es el sentido del flujo de la corriente. En el transistor en NPN la corriente fluye de colector a emisor y en el transistor PNP la corriente fluye de emisor a colector

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción

FET – MOSFET – Ventajas, desventajas y características. Los FET (Field Electric Transistor) pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET)

Manipulación del MOSFET (MOS-FET). El MOSFET es un dispositivo muy sensible a las cargas estáticas durante la manipulación del mismo en un día seco

Amplificadores con transistores. La amplificación se simplifica cuando su utiliza el modelo de pequeña señal obtenido al analizar pequeñas variaciones de voltajes y corrientes en los terminales del transistor

Explicación de la distorsión por alinealidad y en amplitud que existe en el funcionamiento de un amplificador transistorizado

Explicación de la distorsión en frecuencia y de fase que existe en el funcionamiento de un amplificador transistorizado

El funcionamiento de un UJT es muy similar al del SCR. En el UJT se definen tres regiones de operación: región de corte, resistencia negativa y saturación

Regiones de operación del JFET. Análisis del comportamiento del JFET en la región de corte, la región lineal, región de saturación y región de ruptura

Polarizacion de los FET. Se presentan dos circuitos: polarización simple donde se utiliza una fuente de tensión externa negativa y la autopolarización

Regiones de corte, lineal, saturación y ruptura en Transistor NMOS FET. Estas regiones de operación son diferentes a las zonas de operación del FET

C-MOSFET (MOSFET Complementario) es la combinación de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N. Explicación de sus características y funcionamiento

El transistor Bipolar o BJT. El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos: el NPN y el PNP

Amplificador seguidor emisor o Amplificador colector común. Funcionamiento del amplificador a transistor, características. Ejemplo de cálculo

Regiones Operativas del Transistor Bipolar: Regiones de corte, saturación y activa. Corrientes, voltajes. Curvas características. Configuraciones del transistor bipolar

Un fototransistor puede trabajar como un transistor normal con la corriente de base (IB) y como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base

El PUT (Transistor Uniunión programable) es un dispositivo de 4 capas. ¿Cuáles son sus características?. Diseño de Oscilador con PUT.

MOSFET significa -FET de Metal Oxido Semiconductor- Es un transistor FET especial que tiene una versión NPN (canal N) y otra PNP (canal P). Principio de Operación

El JFET o FET de juntura es un dispositivo semiconductor que puede controlar el flujo de corriente que pasa por un canal variando un voltaje aplicado a su terminal de control

El transistor Darlington es un transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada

Principales características del transistor bipolar y modelos básicos como el modelo de Ebers-Moll