Transistores
Distorsión en amplitud y por alinealidad de amplificador a transistor
Explicación de la distorsión por alinealidad y en amplitud que existe en el funcionamiento de un amplificador transistorizado
Distorsión de frecuencia y distorsión por fase
Explicación de la distorsión en frecuencia y de fase que existe en el funcionamiento de un amplificador transistorizado
Amplificadores con transistores: Modelo de pequeña señal
Amplificadores con transistores. La amplificación se simplifica cuando su utiliza el modelo de pequeña señal obtenido al analizar pequeñas variaciones de voltajes y corrientes en los terminales del transistor
Modelo híbrido {H} de transistor bipolar
Explicación del modelo híbrido de un transistor bipolar o BJT. Se explica el modelo para un transistor NPN y PNP
Obtención de parámetros {H} de características del transistor
Método para obtener los parámetros h de un transistor: (hie, hfe, hoe, hre), partiendo de las gráficas características de un BJT. Variación de parámetros {H} con la corriente y temperatura.
FET – MOSFET – Ventajas, desventajas y características
FET – MOSFET – Ventajas, desventajas y características. Los FET (Field Electric Transistor) pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET)
JFET – FET de Juntura
El JFET o FET de juntura es un dispositivo semiconductor que puede controlar el flujo de corriente que pasa por un canal variando un voltaje aplicado a su terminal de control
Amplificador surtidor común (FET). Autopolarización
Amplificador surtidor común con transistor efecto de campo (FET) – Autopolarización en el amplificador surtidor común.
Redes bi-puerta
El comportamiento de un circuito lineal bi-puerta, puede ser especificado a través de dos corrientes (I1 e I2) y dos voltajes (V1 y V2)
Análisis de circuitos con parámetros h
Tutorial que muestra el análisis de pequeña señal de un circuito amplificador con el modelo híbrido H. Se obtienen, la ganancia de corriente, ganancia de voltaje e Impedancia de entrada
Análisis de circuitos con parámetros h (2)
Tutorial que muestra la impedancia de salida, los modelos de ganancia en voltaje y ganancia en corriente, la relación entre estos valores en amplificadores a transistores
Fototransistor – Ganancia – Circuito equivalente
Un fototransistor puede trabajar como un transistor normal con la corriente de base (IB) y como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base
Transistor como interruptor o switch – Diseño
El transistor bipolar (BJT) como interruptor o “switch”. Funcionamiento del transistor en corte y saturación, parámetros para el diseño y ejemplo.
Amplificador FET seguidor de cátodo. Ganancia de tensión
Circuito amplificador seguidor de cátodo con FET. Fórmulas de ganancia de voltaje y de impedancia de salida
Amplificador surtidor común
Circuito equivalente AC (pequeña señal) de amplificador surtidor común con FET. Ganancia de tensión del amplificador FET surtidor común. Transconductancia
Amplificador surtidor común (FET) – Realimentación negativa
Amplificador FET surtidor común con realimentación negativa. Función del condensador de paso en un amplificador surtidor común
Diferencia entre Transistores NPN y PNP
La principal diferencia entre transistores NPN y PNP es el sentido del flujo de la corriente. En el transistor en NPN la corriente fluye de colector a emisor y en el transistor PNP la corriente fluye de emisor a colector
Transistor MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción
Manipulación del MOSFET (MOS-FET)
Manipulación del MOSFET (MOS-FET). El MOSFET es un dispositivo muy sensible a las cargas estáticas durante la manipulación del mismo en un día seco
Funcionamiento de un UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al del SCR. En el UJT se definen tres regiones de operación: región de corte, resistencia negativa y saturación
Regiones de operación del JFET
Regiones de operación del JFET. Análisis del comportamiento del JFET en la región de corte, la región lineal, región de saturación y región de ruptura
Polarización de los FET
Polarizacion de los FET. Se presentan dos circuitos: polarización simple donde se utiliza una fuente de tensión externa negativa y la autopolarización
Regiones de operación del NMOS FET
Regiones de corte, lineal, saturación y ruptura en Transistor NMOS FET. Estas regiones de operación son diferentes a las zonas de operación del FET
C-MOSFET – MOSFET Complementario – Complementary MOSFET
C-MOSFET (MOSFET Complementario) es la combinación de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N. Explicación de sus características y funcionamiento
Transistor Bipolar o BJT
El transistor Bipolar o BJT. El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos: el NPN y el PNP
Amplificador seguidor emisor – Amplificador colector común
Amplificador seguidor emisor o Amplificador colector común. Funcionamiento del amplificador a transistor, características. Ejemplo de cálculo
Amplificador de base común
Este amplificador tiene la base del transistor como terminal común a la entrada como a la salida del mismo. Es una de las tres configuraciones básicas del amplificador con transistor bipolar
Regiones Operativas del Transistor Bipolar
Regiones Operativas del Transistor Bipolar: Regiones de corte, saturación y activa. Corrientes, voltajes. Curvas características. Configuraciones del transistor bipolar
PUT – Características. Oscilador con PUT
El PUT (Transistor Uniunión programable) es un dispositivo de 4 capas. ¿Cuáles son sus características?. Diseño de Oscilador con PUT.
MOSFET MOS-FET – Principio de operación
MOSFET significa -FET de Metal Oxido Semiconductor- Es un transistor FET especial que tiene una versión NPN (canal N) y otra PNP (canal P). Principio de Operación
Amplificador emisor común
Amplificador emisor común – Tutoría del funcionamiento. Circuito básico, La recta de carga, funcionamiento.
Transistor Darlington – ¿Qué es? Cómo Funciona?
El transistor Darlington es un transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada
Regiones de saturación, ruptura, inversa de Transistor
Regiones de saturación, ruptura, inversa de Transistor. Descripción del funcionamiento de un transistor bipolar en todas las regiones de funcionamiento incluyendo la zona inversa
Punto de trabajo Q y recta de carga estática de un transistor
Punto de trabajo Q y recta de carga estática de un transistor, lo definen los valores de corrientes y tensiones en continua del transistor necesarias para que opere en la región lineal
Potencia de disipación máxima y polarización de transistor
Potencia de disipación máxima y polarización de transistor. Un transistor polarizado con tensiones y corrientes en sus terminales que hacen disipar energía.
Modos de operación del transistor: Región lineal, Región de corte
Modos de operación del transistor: Región lineal, Región de corte Los transistores, en la región activa directa donde existen cuatro zonas de operación: una de ellas es la zona lineal
Transistor uniunión o UJT
Transistor uniunión o UJT. Explicación del funcionamiento del transistor UJT. Presentación de su estructura física, símbolo y modelo y circuito
Transistor UJT. Dispositivo de disparo
El transistor UJT es un transistor especial que se utiliza como un dispositivo de disparo, que tiene una sola unión PN
Características del transistor Bipolar. Modelo Ebers-Moll
Principales características del transistor bipolar y modelos básicos como el modelo de Ebers-Moll
