Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente, pero sus ecuaciones analíticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.
En la figura 1.16 se muestran las curvas de características eléctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de operación que son descritas brevemente a continuación.
Región de corte
Se verifica que VGS < VT y la corriente ID es nula.
Región lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensión. Verifica las siguientes ecuaciones:
siendo un parámetro característico del MOS que depende de la tecnología a través de la constante k y del tamaño de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).
Región de saturación de un MOSFET de canal N (NMOS)
El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS. Verifica las siguientes ecuaciones
Siendo ß el parámetro descrito en la ecuación 1.24. Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal.
En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID se representa en la gráfica de la izquierda de la figura 1.16 (Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal), y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por métodos gráficos el punto de polarización de los transistores, aunque rara vez se recurre a ellos.
Región de ruptura de un MOSFET de canal N (NMOS)
Un transistor MOS puede verse afectado por fenómenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de óxido fino de la puerta que pueden dañar irreversiblemente al dispositivo.
Por último, señalar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.
Tut_transistores_NMOS_region_corte_lineal.asp
Tut_transistores_NMOS_region_saturacion_ruptura.asp
