1- Modelo Híbrido {H} de un BJT 2- Obtención de parámetros {H} de características del BJT
Obtención de parámetros {H} de características del transistor
En la figura 2.7, se definen de una manera gráfica los cuatro parámetros h extraídos a partir de las características eléctricas de un transistor NPN.
hfe
La definición gráfica de hfe se encuentra en la figura 2.7.a. Valor típico hfe=200.
hoe
La definición gráfica de hoe se encuentra en la figura 2.7.b. Valor típico hoe = 24 µA/V = 1/24 µohmios. => 1/hoe = 41.5 Kohmios
hie
La definición gráfica de hie se encuentra en la figura 2.7.c. Valor típico hie = 5 Kohmios
hre
La definición gráfica de hre se encuentra en la figura 2.7.d. Valor típico hre=3•10-4
Variación de parámetros {H} con la corriente y temperatura en un transistor
Los parámetros {H} varían de un transistor a otro. Pero además, en cada transistor varían principalmente con la corriente de colector y con la temperatura.
En la figura 2.8 se muestran dos gráficas normalizadas para un transistor PNP:
- la primera (figura 2.8.a) indica el porcentaje de variación de los parámetros h respecto a los parámetros medidos con una IC = – 1.0 mA y VCE = -5 V, y …
- la segunda gráfica (figura 2.8.b) indica su porcentaje de variación respecto a los medidos a la temperatura a 25 °C.
El fabricante suele proporcionar gráficas que relacionan estos parámetros con la IC a diferentes temperaturas.
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