Nov 182015
 

Regiones de operación del NMOS FET

http://unicrom.com/Tut_transistores_NMOS_region_corte_lineal.asp
http://unicrom.com/Tut_transistores_NMOS_region_saturacion_ruptura.asp

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus ecuaciones analíticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. En la figura 1.16 se muestran las curvas de características eléctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de operación que son descritas brevemente a continuación.

Región de corte

Se verifica que VGS < VT y la corriente ID es nula.

Región lineal

El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensión. Verifica las siguientes ecuaciones:

Ecuación para la región lineal de un MOSFET - Electrónica Unicrom

siendo un parámetro característico del MOS que depende de la tecnología a través de la constante k y del tamaño de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).

Curvas características de un NMOS - Electrónica Unicrom

Región de saturación de un MOSFET de canal N (NMOS)

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS. Verifica las siguientes ecuaciones

Formula del transistor NMOS en región de saturación - Electrónica Unicrom

siendo ß el parámetro descrito en la ecuación 1.24. Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal. En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID se representa en la gráfica de la izquierda de la figura 1.16 (Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal), y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por métodos gráficos el punto de polarización de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos.

Región de ruptura de un MOSFET de canal N (NMOS)

Un transistor MOS puede verse afectado por fenómenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de óxido fino de la puerta que pueden dañar irreversiblemente al dispositivo.

Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un transistor NMOS y PMOS - Electrónica Unicrom

Por último, señalar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.

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