Nov 172015
 

MOSFET MOS-FET. Principio de operación

MOSFET significa “FET de Metal Oxido Semiconductor” o FET de compuerta aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.

Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada “sílice” o “sílica”) es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura).

En el MOSFET de canal N la parte “N” está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte “P” está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

MOSFET de canal N, construcción y símbolo - Electrónica Unicrom       MOSFET de canal P, construcción y símbolo - Electrónica Unicrom

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.

Principio de operación del MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source).

MOSFET de canal N, principio de operación - Electrónica Unicrom                 MOSFET de canal P, principio de operación - Electrónica Unicrom

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta () y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar.

Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, no la del flujo de electrones.

Tut_MOSFET.asp    tut_MOSFET_operacion.asp

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