Diodo Schottky o Diodo de Barrera

¿Qué es un diodo Schottky?

A diferencia del diodo semiconductor común que tiene una unión P–N, el diodo schottky  o diodo de barrera tiene una unión Metal-N. Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutación y una baja caída de voltaje cuando están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios).

Este diodo está más cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor común, pero tiene algunas características que hacen imposible su utilización en aplicaciones de potencia.

Características del diodo de Barrera

1 – Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la flecha). Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de alimentación) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante grande y supera la capacidad de este diodo.

2 – No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la tensión inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.

Símbolo del diodo Schottky o diodo de barrera

Sin embargo, este diodo encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad como en computadoras. En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo causa poco gasto de energía.

Diagrama con las diferencias en las curvas del diodo Schottky y el diodo común

El diodo PN común tiene la curva en color rojo y el diodo Schottky en color azul. Se observa del diagrama que el diodo de barrera tiene una caída de voltaje menor cuando está polarizado en directo que la que tiene el diodo PN. También se observa que sucede lo mismo cuando los diodos se polarizan en inverso.

El diodo Schottky o diodo de barrera, se llama así en honor del físico alemán Walter H. Schottky.